原子沉積系統(tǒng)的原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型(厚度、成份和結(jié)構(gòu))
原子沉積系統(tǒng),一開始稱為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),也稱為原子層化學(xué)氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,ALCVD)。原子層沉積是在一個加熱反應(yīng)器中的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體物種,化學(xué)吸附的過程直至表面飽和時就自動終止,適當(dāng)?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。
可以沉積的材料包括:氧化物,氮化物,氟化物,金屬,碳化物,復(fù)合結(jié)構(gòu),硫化物,納米薄層等。
半導(dǎo)體領(lǐng)域:
晶體管柵極電介質(zhì)層(高k材料),光電元件的涂層,晶體管中的擴散勢壘層和互聯(lián)勢壘層(阻止摻雜劑的遷移),有機發(fā)光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發(fā)光(TFEL)元件,集成電路中的互連種子層,DRAM和MRAM中的電介質(zhì)層,集成電路中嵌入電容器的電介質(zhì)層,電磁記錄頭的涂層,集成電路中金屬-絕緣層-金屬(MIM)電容器涂層。
納米技術(shù)領(lǐng)域:
中空納米管,隧道勢壘層,光電電池性能的提高,納米孔道尺寸的控制,高高寬比納米圖形,微機電系統(tǒng)(MEMS)的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層,納米晶體,ZnSe涂層,納米結(jié)構(gòu),中空納米碗,存儲硅量子點涂層,納米顆粒的涂層,納米孔內(nèi)部的涂層,納米線的涂層。